NCV57256DR2G

NCV57256DR2G mukammal cho'qqi chiqish oqimi qobiliyatini, past tomonda, yuqori tomonda yoki yarim ko'prikda drayverning ishlashi uchun konfiguratsiyani va aniq almashtirish uchun dasturlashtiriladigan qoplama yoki o'lik vaqtni boshqarishni taklif etadi. Quvvat ketma-ketligi uchun o'chirish pinli soddalashtirilgan yarim ko'prik sozlamalari va quvvatni tartiblash uchun ANB funksionalligi, tizim nazorati va xavfsizligini oshiradi. Bundan tashqari, u qisqa tutashuv paytida IGBT/MOSFET eshiklarini mahkamlash imkonini beradi va qurilma himoyasini ta'minlaydi. Drayv qisqa tarqalish kechikishi, qattiq UVLO chegarasi va kuchli galvanik izolyatsiyaga ega, bu uni NCV57256DR2G bilan ishlatish uchun mos qiladi. U AEC-Q100 standartiga ega, avtomobilda foydalanish uchun va ekologik toza, RoHS talablariga javob beradi. Umuman olganda, NCV57256DR2G quvvat va aniqlikni birlashtirib, uni turli quvvat elektroniği ilovalari uchun ajoyib tanlovga aylantiradi.

• EV zaryadlovchi qurilmalari

• Dvigatelni boshqarish

• Uzluksiz quvvat manbalari (UPS)

• Sanoat quvvat manbalari

• Quyosh invertorlari

• Avtomobil uchun ilovalar

NCx5725y yuqori oqimli ikkita kanalli izolyatsiyalangan IGBT/MOSFET eshik drayverlari bo'lib, har bir chiqishga kirishdan 2,5 yoki 5 kVrms* ichki galvanik izolyatsiyaga va ikkita chiqish kanali orasidagi funktsional izolyatsiyaga ega. Qurilma kirish tomonida 3,3 V dan 20 V gacha kuchlanish va signal darajalarini va chiqish tomonida 32 V gacha kuchlanishni qabul qiladi. Qurilma qo'shimcha kirishlarni qabul qiladi va tizim dizayni qulayligi uchun o'chirish va o'lik vaqtni boshqarish uchun alohida pinlarni taklif qiladi. Drayvlar keng korpusli SOIC-16 va tor korpusli SOIC-16 paketlarida mavjud.

Issiq teglar: ncv57256dr2g, Xitoy ncv57256dr2g ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari