
6N135S-TA1
Ta'rif
Texnik parametrlar
Tegishli mahsulotlar:
|
Mfr qismi |
6N135S |
6N135S-TA |
6N135S-TA1 |
6N135STA1-V |
|
Tavsif |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTOR OCHIQ |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTOR OCHIQ |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTOR OCHIQ |
OPTOCOUPLER, FOTOTRANSISTOR OCHIQ |
|
Birja |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
|
Mahsulot holati |
Faol |
Faol |
Faol |
Faol |
|
Voltaj - izolyatsiya |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
5000 Vrms |
|
Joriy transfer koeffitsienti (min) |
7% @ 16mA |
7% @ 16mA |
7% @ 16mA |
7% @ 16mA |
|
Joriy transfer koeffitsienti (maks) |
50% @ 16mA |
50% @ 16mA |
50% @ 16mA |
50% @ 16mA |
|
Yoqish / o'chirish vaqti (Tipik) |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
150 ns, 700 ns |
|
Kirish turi |
DC |
DC |
DC |
DC |
|
Chiqish turi |
1 MB tranzistor |
1 MB tranzistor |
1 MB tranzistor |
1 MB tranzistor |
|
Voltaj - Chiqish (Maks) |
20V |
20V |
20V |
20V |
|
Joriy - Chiqish / Kanal |
8mA |
8mA |
8mA |
8mA |
|
Voltaj - oldinga (Vf) (Tip) |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
1.45V |
|
Joriy - DC oldinga (agar) (Maks) |
25 mA |
25 mA |
25 mA |
25 mA |
|
Ishlash harorati |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
-55-C ~ 100-C |
|
Paket / quti |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
SMD8 (7,62 mm) |
|
Paket |
Lenta va g‘altak (TR) |
Lenta va g‘altak (TR) |
Lenta va g‘altak (TR) |
Lenta va g‘altak (TR) |
Ilovas:
• Yuqori kuchlanishli izolyatsiya
• liniyali qabul qiluvchilarda izolyatsiya
• Kommutatsiya rejimidagi elektr ta'minotchisidagi fikr-mulohazalar elementi
• Dvigatel drayvlarida quvvat tranzistorining izolyatsiyasi
• Mikroprotsessor tizimi, kompyuter va ularning periferik qurilmalari o'rtasidagi interfeys
• Impuls transformatorlarini almashtiring.
• Sekinroq optokupl izolyatorlarini almashtiring.
Umumiy tavsif:
6N135/6 yuqori samarali AlGaAs yorug'lik chiqaradigan diyot va yuqori tezlikdagi optik detektordan iborat. Ushbu dizayn Optocouplerning kirish va chiqish tomonlari o'rtasida mukammal AC va DC izolyatsiyasini ta'minlaydi. Fotodiodning egilishi uchun ulanish baza-kollektor sig'imlarini kamaytirish orqali an'anaviy fototranzistor bog'lovchi tezligini yaxshilaydi. Ichki qalqon yuqori umumiy rejimdagi vaqtinchalik immunitetni ta'minlaydi. Kafolatlangan umumiy rejim o'tkinchi immunitet 1kV/mksekgacha.
Issiq teglar: 6n135s-ta1, Xitoy 6n135s-ta1 ishlab chiqaruvchilari, etkazib beruvchilari
Oldingi
6N136S-TA1Keyingi2
4N37S-TA1So'rov yuborish
Sizga ham yoqishi mumkin







